30W 50V GaN HEMT RF PA Amplificatore di potenza RF Transistor di potenza RF per 5700- 5900MHz

Il YP40601625T è un GaN HEMT di 30 watt, abbinato internamente, progettato per molteplici applicazioni con frequenze da 4000 a 6000 MHz, in particolare da 5700 a 5900 MHz.Le prestazioni sono garantite per le applicazioni che operano nelle frequenze menzionate Non è garantita alcuna prestazione quando questa parte è utilizzata in applicazioni progettate al di fuori di queste frequenzePerformance tipica (su apparecchiatura di innesco): VDD = 50 Volt, IDQ = 110 mA, CW, Psat>30W

Applicazioni e caratteristiche

• Adatto per infrastrutture di comunicazione wireless, radar commerciale, amplificatore a banda larga, jammer, EMCtesting, ISM ecc.
• Operazioni ad alta efficienza e con guadagno lineare
• Pacchetto di norme industriali termicamente migliorate
• Processo di metallizzazione ad alta affidabilità
• Eccellente stabilità termica ed eccellente rugosità
• Conforme alla direttiva 2002/95/CE sulla limitazione delle sostanze pericolose (RoHS) NOTA importante: Sequenza di distorsione corretta per i transistor GaN HEMT Accendere il dispositivo 1.Impostare VGS alla tensione di spegnimento (VP), in genere ¥5 V 2. Accendere il VDS alla tensione nominale di alimentazione (50 V) 3. Aumentare il VGS fino a raggiungere la corrente IDS 4. Applicare la potenza di ingresso RF al livello desiderato Spegnere il dispositivo 1. Spegnere la potenza RF 2.Ridurre il VGS a VP, in genere ¥5 V. Ridurre il VDS a 0 V. Spegnere il VGS

Nota importante: Sequenza di bias corretta per i transistor GaN HEMT

Accendere il dispositivo

1.Inserire la VGS alla tensione di spegnimento (VP), in genere 5 V

2.Attivare il sistema VDS alla tensione nominale di alimentazione (50 V)

3.Aumentare il VGS fino a raggiungere la corrente IDS

4.Applicare la potenza di ingresso RF al livello desiderato

Spegnere il dispositivo

1- Spegni la corrente RF.

2.Ridurre il VGS a VP, in genere ¢5 V

3. Ridurre il VDS a 0 V 4. Spegnere il VGS